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  • 简介
  • 参数

  • CMP设备通过化学腐蚀与机械研磨协同作用，实现晶圆表面的全局平坦化，去除多余材料（如多晶硅、氧化物、铜等），确保后续光刻和沉积工艺的精度。 

    高精度抛光：采用研磨液与旋转研磨盘结合，实现纳米级平坦度和表面光洁度。  
    多场景适配：特思迪的CMP设备支持多种材料抛光，包括半导体衬底、先进封装等。  
    智能化控制：集成实时监测系统，优化抛光参数并减少缺陷。  

  • 物料名称 应用场景与适用范围 产品参数表
    支撑座 底部框架与上方旋转部件的连接件，属于关键性零件

    同轴度0.02mm

    垂直度0.02mm

    平行度0.01mm
    十字座 整机旋转及抛光部分的承载主体

    平面度：0.02mm

    垂直度：0.02mm

    平形度：0.03mm
    防护板 用于防水的透明罩子
    抛头主轴（3孔） 抛光头回转轴，主要用于设备磨削及抛光回转支撑定位

    外圆圆度：0.005mm

    轴承档外圆跳动：0.015mm

    端面跳动：0.02mm

    垂直度：0.01mm

    表面光洁度：Ra0.8
    大底板 整机设备的主体底座

    平面度：0.02mm

    垂直度：0.03mm

    平形度：0.03mm
    长轴齿轮 修整装置传动的齿轮轴

    端面跳动：0.018mm

    垂直度：0.01mm

    同轴度：0.01mm

    表面光洁度：Ra0.8
    连接片 修整部件的连接件，用于定位安装

    平面度：0.03mm

    平形度：0.03mm

    垂直度：0.02mm
    主壳体 用于抛光液分流的外壳体 垂直度：0.02mm
    HCLU主轴 用于气缸升降的导向

    同轴度0.03mm

    垂直度0.02mm
    杯体 用于放置晶片的壳体

    平面度0.03mm

    垂直度0.02mm
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